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「芯視野」從IGBT到SiC 改朝換代中的車用功率半導體 - 資訊咖

SiC 是最被看好能取代矽基器件（主要是IGBT）的材料。業內專家列舉了SiC能取代IGBT的三個原因：一是SiC器件的工作結溫在200℃以上，工作頻率在100kHz以上，耐壓可 ...

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