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别慌！特斯拉是为SiC提供新的发展方向 - 电子工程专辑

实际上，熟悉功率器件的读者会明白，碳化硅取代硅基IGBT是不可逆的趋势，尤其是在800V充电架构之下，硅基IGBT已经达到性能的极限，很难满足主驱逆变器 ...

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