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SiC 取代IGBT
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用於取代IGBT的碳化矽(SiC)MOSFET 技術發展回顧 - 每日頭條
由於SiC MOSFET具有取代現有的矽超級結(SJ)電晶體和集成柵雙極電晶體(IGBT)技術的潛力,因此受到了特別的關注。 多年之前碳化矽的半導體器件潛力已為 ...
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