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第三類半導體新篇章不畏景氣寒冬IDM大廠投資擴產以數倍計

自從特斯拉(Tesla)於二○一七年在其Model 3中使用SiC MOSFET， ... 電氣架構的革新，未來將促使耐高壓的SiC功率元件全面取代Si IGBT，進而成為主驅逆 ...

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