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第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 - 電子工程專輯

以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不僅能使切換損失降低80%以上，大幅縮減電力移轉時的能源損耗，同時也可讓晶片模組尺寸微縮至原本的1/10，此將有助於電動 ...

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