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功率半導體元件的主流爭霸戰| 雜誌| 聯合新聞網

傳統以矽（Si）材料為基底的IGBT主要特性為耐高壓、高電流，多應用於大 ... 第三類化合物半導體-碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）兩種材料興起，有助解決 ...

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