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碳化矽(SiC)晶圓 - 頎邦

由於碳化矽在高電壓工作環境下的表現優異，SiC MOSFET被視為可有效取代Si IGBT，其切換損失降低了80%以上，可大幅縮減電力移轉時的能源損失。

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