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碳化矽戰略材料產能炸開第三代半導體廠拐點到了

自從特斯拉（Tesla）於二○一七年在其Model 3中使用SiC MOSFET，成為第一 ... 的革新，未來將促使耐高壓的SiC功率元件全面取代Si IGBT，進而成為主驅 ...

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