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SiC MOSFET取代逆变器对应3倍电流IGBT

在低为5KHz的操作中，100A SiC模块能够取代至少一个150A Si IGBT模块，同时提供显著的性能和可靠性优势。在普通的16 KHz频率条件下工作，700A SiC模块可替代超载和导热裕量 ...

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