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升級電源轉換效率SiC MOSFET降低電磁損耗 - 新電子雜誌

超過1,000V電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但如今碳化矽(SiC)元件性能卓越，能夠實現快速開關的單極元件，可取代雙極IGBT。這些SiC元件可以在較高的 ...

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