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建構於4H-SiC碳化矽半絕緣基板上之橫向型高電壓元件設計與 ...

中文摘要本文主要研究建構在半絕緣基板之4H-SiC橫向高電壓RESURF元件之關鍵設計參數,並經由模擬及實際元件製作來測試驗證。表面電荷, 場平板, 電荷平衡狀況對崩潰電壓 ...

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