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ST 意法半導體SiC 碳化矽器件介紹

SiC 碳化矽 是高壓開關和整流的最新突破,ST意法半導體的碳化矽（Silicon Carbide）器件包括SiC MOSFET 電壓範圍為650 至1700 V，具有業界最高的200 °C ...

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