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東芝推出適用於高效率電源的1200V碳化矽MOSFET

Toshiba: a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET TW070J120B for ... 該功率MOSFET採用新材料SiC，與常規的矽(Si) MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐 ...

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