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高性能鍺積體電路元件之閘極與通道工程

鰭式場效電晶體(FinFET)已超越一般平面MOSFET元件而被廣泛應用，以遵循摩爾定律。然而，對於Si基材的FinFET技術，載子遷移率仍然是最重要的問題。由於Ge可以提供較Si高的載 ...

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