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Si MOSFET
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升級電源轉換效率SiC MOSFET降低電磁損耗 - 新電子雜誌
在50 V漏源電壓下,基於SiC的MOSFET的輸出電容要大於可比較的Si功率半導體元件,但它的輸出電容COSS/VDS的關係更加線性。結果是,與基於矽的MOSFET比較, ...
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