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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5

DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET). 拓緯的AA51光耦合繼電器採用碳化矽(Silicon Carbide) 做為內部晶片材料，可負載高達1200伏的電壓，耐電流為470毫 ...

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