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「推薦收藏」全球GaN功率半導體廠商資料曝光 - 每日頭條

能訊GaN HEMT器件通過級聯Si制MOSFET實現常關工作。 2013年3月，發布第一批符合JEDEC標準的600V Si襯底GaN功率器件。 2014年2月，新增 ...

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