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p-MOSFET效能評估__臺灣博碩士論文知識加值系統

本論文中，我們量測通道長度分別為10μm與4μm的p-MOSFET元件，並用一個簡單的模型去萃取出隨閘極電壓變化之遷移率，由我們的結果顯示，遷移率主要受到狀態密度、離子化 ...

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