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ONO側壁與CESL對MOSFET通道應力影響之分析 - 國立臺灣 ...

本實驗除了使用氮化矽接觸窗蝕刻停止層（CESL）外，並加入氮化矽層在傳統上使用的二氧化矽側壁層，形成二氧化矽／氮化矽／二氧化矽（ONO）的複合式側壁。

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