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高能效新型S波段半导体功率器件设计-手机知网

本文首次提出了一种具有多凹陷缓冲层的4H-SiC MESFET(MRB 4H-SiC MESFET)结构。与双凹陷缓冲层(DRB 4H-SiC MESFET)结构相比,该结构同时提高了器件的输出功率密度和截止 ...

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