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MOSFET Vth
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如何选择SiC MOSFET 驱动负压
Vth 漂移现象. 由于宽禁带半导体SiC 的固有特征,以及不同于Si 材料的半导体氧化. 层界面特性,会引起阈值电压变化以及漂移现象。
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