當VGS繼續增加,電子集結的區域慢慢擴大,靠近SiO2表面的電子濃度持續增加直到最後汲極電流(ID)能明顯增加時,通道於是建立起來,這時VGS的電壓稱為臨界電壓(Vth)。 隨著 ...
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