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MOSFET 開關 設計
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SiC MOSFET 門極驅動電壓應用指南
對於這樣的應用,在第3 章節中詳述了必須考慮的設計準則。對於損耗平均分布於開關. 和導通損耗的應用,VGS(th)的漂移對總損耗和結溫僅有輕微影響 ...
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