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MOSFET 開關 設計
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实现最佳效率和可靠性的SiC MOSFET 栅极驱动器设计
碳化硅功率MOSFET 正朝着与传统硅MOSFET 或IGBT 的价格持平的方向发展。它们的主要优点是更低的RDS(ON)、降低的开关损耗、可与IGBT 媲美的击穿电压以及更 ...
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