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MOSFET：金屬-氧化物半導體場效應電晶體 - 華人百科

金氧半場效電晶體裏的氧化層位于其溝道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化矽（SiO2），不過有些新的高級製程已經 ...

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