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MOSFET - 氧化層-半導體-場效電晶體 - 中文百科知識

而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其柵極材料，對於製程又是一個很大的變數。 ⒉矽—二氧化矽接面經過多年的研究，已經證實這兩種材料 ...

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