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Infineon「超接面製程」為銜接GaN、SiC 材料作緩衝

場效電晶體(MOSFET) 構成，輕. 量、提高工作頻率的耐受度是主要. 方向；而如何在高壓功率元件獲得. 良好的崩潰電壓及導通電阻？向來. 是業界不斷精進的課題。在氮化.

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