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在n 通道MOSFET 製程技術中，利用間隙壁（spacer）及兩次 ...

三、在n 通道MOSFET 製程技術中，利用間隙壁（spacer）及兩次離子佈植實施LDD （lightly doped drain）結構，請說明製程步驟。（15 分）.

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