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功率MOSFET的FSM與BGBM製程改善- 電子技術設計

Power MOSFET在完成了前段Foundry FAB的製程後，緊接著還要在Top Metal上製作圖形化正面金屬(FSM)、晶圓薄化並將背面鍍上金屬後(BGBM)，進行CP測試.

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