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以新一代製程設備推進記憶體技術藍圖 - 電子工程專輯

作者: Yang Pan、Samantha Tan與Richard Wise，Lam Research ... 3D NAND製程始於氧化物與氮化物薄膜的交替沉積，接著做硬遮罩沉積並在其上開孔，則垂直通道 ...

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