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運用要點：閘極驅動其1 | ROHM TECH WEB

... 由High Side SiC-MOSFET開關導通時的dV/dt速度太快引起的，因Low Side SiC-MOSFET的閘極寄生電容與閘極阻抗(Impedance)而產生閘極電壓升高⊿Vgs。

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