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氮化镓(GaN) - 化合物半导体

氮化镓(GaN). 高频特性，可以达到300 GHz 高温特性，在300°C正常工作(非常适用于航天、 军事和其它高温环境) 电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好

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