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【芯观点】抢抓产业迸发机遇，中国功率半导体势如破竹 - 集微网

文章指出，虽然IGBT和MOSFET已经被广泛使用，但也已经达到极限。这就是越来越多的供应商正在开发基于两种“宽带隙”技术——氮化镓和碳化硅（GaN、SiC）功率器件的原因。

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