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新電子 06月號/2021 第423期 - 第 50 頁 - Google 圖書結果

跟MOSFET相比,GaN FET 在相同單位面積時,G aN 的導通電阻(RDS (ON) )可以做得更低,同時內部的雜散電容可以做得更小,所以使用GaN FET 來取代MOSFET時,導通損失和切換 ...

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