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氮化鎵(GaN)與矽(Si)的MOS開關比較 - 大大通

氮化鎵(GaN)是橫向結構的功率元件，其具有小於矽(Si)的十分之一以下的閘極電荷(Qg)與輸出電荷(Qoss)，且沒有逆向回復電流(Irr)的問題。

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