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GaN MOSFET
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ROHM成功提升150V GaN HEMT閘極耐壓至8V | 羅姆半導體集團
一直以來,ROHM持續研發與量產領先業界的SiC元件和其他具有優勢的矽元件,以及在中等耐壓範圍具出色高頻工作性能的GaN元件。本次ROHM就現有GaN元件長期 ...
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