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SiC开关与IGBT、MOSFET的主要差异及栅极驱动器支持方案

基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。

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