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採用直接驅動設計GaN FET開關控制效率增- 技術頻道 - 新電子

由於GaN的截止電容較低且無二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT有顯著降低損耗的能力。正常情況下，MOSFET/IGBT驅動器會提供合適的開啟 ...

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