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CN101819995B - GaN基MOSFET及其制备方法- Google Patents

本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La 2 O 3 ) x (SiO 2 ) 1-x ... [0020] 价带补偿的计算原理是基于（La2O3)x(SiO2)1I薄膜的和GaN衬底XPS芯电子和价 ...

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