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國立成功大學機構典藏:Item 987654321/206961

後續卻發現已有發布了低頻相似轉換器架構,開關採用Si MOSFET. ... 因此本論文主要研究開關採用氮化鎵(GaN)寬能隙元件和高切換頻率,所帶來的較高功率 ...

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