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GaN器件特性简介 - 知乎专栏

宽禁带半导体(Wide BandGap Semicondutor)缘起GaN器件目前被称为HEMT (High ... 硅作为基础的MOSFET是通过沟道的电子进行导电，通过栅极和源极之间的电压控制沟道的 ...

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