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工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化矽SiC？到底該pick誰？

測試中每種功率開關都測試了兩種導通電阻的器件，對於氮化鎵電晶體，RDS（on）分別為35mohm和45mohm，碳化矽MOSFET則分別是65mohm和80mohm。測試結果如圖 ...

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