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氮化鎵FET相比MOSFET有什麼優勢？ - 每日頭條

用GaN材料製成的功率器件GaN FET具有低的擊穿電壓、低的閾值電壓、低的柵極電荷Qg，其開關頻率高，導通電阻小。GaN FET優越的特性與其器件結構有極大的 ...

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