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SiC/GaN/IGBT 測試方案- 克達科技股份有限公司

第三代半導體SiC , GaN 具備高電壓、大電流、高切換(switch)速度等物理特性，其功率元件所需的測試條件已大幅超越已矽(Si)為主的測試要求。 您目前使用的經典設備如 ...

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