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電晶體結構新變革，GAA機遇與挑戰並存 - 愛伊米

semiengineering文︱BRIAN BAILEY編譯︱編輯部隨著GAA FET（全環繞柵極電晶體）逐漸取代3nm及以下的finFET（鰭式場效應電晶體），晶片行業已經準備好 ...

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