你即將離開本站

並前往https://patents.google.com/patent/TWI506158B/zh

由二矽烷前驅物進行之遠端電漿化學氣相沈積的高品質氧化矽膜

US8741788B2 * 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes.

確定！ 回上一頁

查詢 「Flowable CVD」的人也找了：

  1. flowable cvd原理
    2.
  2. Flowable CVD
    3.
  3. Flowable CVD mechanism
    4.
  4. FCVD
    5.
  5. Eterna
    6.