據文獻報導,SiGe超晶格(SL)通道可以增強MOSFET中的載子遷移率,因此本研究探討具有SiGe和類似SiGe SL通道的鰭式場效電晶體(FinFET)電特性,研究結果顯示,SL結構增強 ...
確定! 回上一頁