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半導體製程的關鍵變化：FinFET製程已經看到盡頭了？(之三)

回顧過去早期的130nm~28nm時代，半導體製程以材料創新為主，包括銅製程、Low-k與HK/MG的材料變化。但近期的28nm~10mm世代，以3D的FinFET及2D的FD-SOI ...

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