你即將離開本站

並前往http://www.ganhemt.com/jish/214.html

Fe掺杂高阻GaN缓冲层的生长研究 - 氮化镓器件

1 . Fe掺杂单层GaN 外延材料的生长采用MOCVD外延生长时，可以通过改变成核层的生长参数，例如生长压力、载气类型以及生长温度等，在GaN层中引入较高 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「Fe 高」的人也找了：

  1. fe醫學中文
    2.
  2. fe過低
    3.
  3. te低
    4.
  4. fe正常值
    5.
  5. 八維
    6.
  6. 榮格八維
    7.
  7. isfp八維
    8.
  8. mbti八維
    9.