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第四章結果與討論4.1 蝕刻條件4.1.1 濕蝕刻本文將討論兩種不同

以下分別分析比較DHF與BOE之不同。 一般半導體製程中在蝕刻二氧化矽通常是用BOE做為蝕刻液，因. 此首先以BOE為例。實驗條件為室溫下，利用厚膜光阻AZ4620做為.

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